TPW1R104PBL1XHQ Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
17,266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP N-CH 40V 120A
Hoja de datos
N/A

Si