PJD55P03EAUL2006A1 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 48 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit PJD55P03E-AU-L2-006A1
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 30V 48A
Hoja de datos
N/A