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FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Name: Infineon FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF8MR12W1M1HB11B
Price: 112.41 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FF8MR12W1M1HB11B

Fabricante N.º:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

Hoja de datos:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$112.41	$112.41
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	Si
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	24
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EasyDUAL
Alias de las piezas n.º:	FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498

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Hoja de datos

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.