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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 4.21 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-6ED2230S12TXUMA1

Fabricante N.º:

6ED2230S12TXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

Hoja de datos:

6ED2230S12TXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$2.34	$2,340.00
	$2.28	$4,560.00
	$2.27	$11,350.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSO-24
Número de controladores:	6 Driver
Número de salidas:	6 Output
Corriente de salida:	650 mA
Voltaje de alimentación - Mín.:	13 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Configuración:	Inverting
Tiempo de subida:	35 ns
Tiempo de caída:	20 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	Infineon SOI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retardo de apagado máximo:	600 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	600 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	175 uA
Dp - Disipación de potencia :	1.3 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	900 ns
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Alias de las piezas n.º:	6ED2230S12T SP001656578
Peso de la unidad:	807.300 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Indonesia
País de difusión:: Malasia

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.