RF Power MOSFET Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
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45Se espera el 21/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
Hoja de datos
50Se espera el 13/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
239Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
249Se espera el 24/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
No

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
10Se espera el 30/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1


Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Hoja de datos
Plazo de entrega 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400