|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
- A3G26D055NT4
- NXP Semiconductors
-
1:
$56.08
-
1,163En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A3G26D055NT4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
|
|
1,163En existencias
|
|
|
$56.08
|
|
|
$46.07
|
|
|
$43.49
|
|
|
$42.77
|
|
|
Ver
|
|
|
$35.80
|
|
|
$40.82
|
|
|
$39.88
|
|
|
$39.32
|
|
|
$39.29
|
|
|
$35.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$419.88
-
111En existencias
-
250Se espera el 22/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
111En existencias
250Se espera el 22/6/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$6.55
-
6,000En existencias
-
4,000Se espera el 25/6/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
|
|
6,000En existencias
4,000Se espera el 25/6/2026
|
|
|
$6.55
|
|
|
$4.29
|
|
|
$3.64
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.68
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$5.40
-
24,223En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
24,223En existencias
|
|
|
$5.40
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$409.67
-
65En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
65En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$336.74
-
272En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
|
|
272En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
- VRF2944
- Microchip Technology
-
1:
$197.88
-
10En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF2944
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2944
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
- PD55003L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$7.84
-
2,669En existencias
-
3,000Se espera el 6/7/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
|
|
2,669En existencias
3,000Se espera el 6/7/2026
|
|
|
$7.84
|
|
|
$5.63
|
|
|
$5.05
|
|
|
$4.72
|
|
|
$4.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
- PD55003TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$9.01
-
394En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
|
|
394En existencias
|
|
|
$9.01
|
|
|
$6.50
|
|
|
$5.89
|
|
|
$5.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
- PD55008TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
605En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
|
|
605En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD55025-E
- STMicroelectronics
-
1:
$31.67
-
70En existencias
-
400Se espera el 19/2/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
70En existencias
400Se espera el 19/2/2027
|
|
|
$31.67
|
|
|
$23.21
|
|
|
$21.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55025S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$31.89
-
112En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
112En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035-E
- STMicroelectronics
-
1:
$33.04
-
501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
501En existencias
|
|
|
$33.04
|
|
|
$24.27
|
|
|
$23.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$93.64
-
30En existencias
-
550Se espera el 13/7/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
30En existencias
550Se espera el 13/7/2026
|
|
|
$93.64
|
|
|
$74.39
|
|
|
$70.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
- SD2942W
- STMicroelectronics
-
1:
$197.27
-
48En existencias
-
90Se espera el 23/4/2027
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2942W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
|
|
48En existencias
90Se espera el 23/4/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
- STAC2942BW
- STMicroelectronics
-
1:
$144.90
-
110En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
|
|
110En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
- MRF166C
- MACOM
-
1:
$113.04
-
53En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF166C
N.º de artículo de Mouser
937-MRF166C
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
|
|
53En existencias
|
|
|
$113.04
|
|
|
$94.03
|
|
|
$85.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
- MRF275G
- MACOM
-
1:
$354.25
-
16En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF275G
N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
|
|
16En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
Microchip Technology VRF2933MP
- VRF2933MP
- Microchip Technology
-
1:
$333.01
-
9En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
|
|
9En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF461AG
- Microchip Technology
-
1:
$59.22
-
27En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF461AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
27En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
- ARF476FL
- Microchip Technology
-
1:
$158.39
-
8En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
|
|
8En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$38.55
-
418En existencias
-
2,500En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
418En existencias
2,500En pedido
Existencias:
418 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 23/6/2026
1,500 Se espera el 24/6/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$38.55
|
|
|
$31.32
|
|
|
$29.51
|
|
|
$27.52
|
|
|
$26.63
|
|
|
$26.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$19.55
-
219En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
219En existencias
|
|
|
$19.55
|
|
|
$15.59
|
|
|
$14.60
|
|
|
$14.18
|
|
|
$13.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
- MMRF5014HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$906.87
-
4En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF5014HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
|
|
4En existencias
|
|
|
$906.87
|
|
|
$783.94
|
|
|
$783.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$97.94
-
186En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
|
|
186En existencias
|
|
|
$97.94
|
|
|
$81.75
|
|
|
$77.71
|
|
|
$76.22
|
|
|
Ver
|
|
|
$69.87
|
|
|
$73.11
|
|
|
$73.08
|
|
|
$69.87
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|