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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 10A,100VG2PSKYSMPCRect.
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4,431En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,500

Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 12A,100VG2PSKYSMPCRect.
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4,536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,500

Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 15A,100VG2PSKYSMPCRect.
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4,504En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,500

Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
Hoja de datos
5,128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
92En existencias
3,000Se espera el 29/1/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1,743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Hoja de datos
1,673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
Hoja de datos
1,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
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2,079En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180
: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
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1,801En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3,000

TDK-Lambda Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
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40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
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144En existencias
5,000Se espera el 10/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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2,117En existencias
10,000Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
Hoja de datos
2,086En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
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693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
: 800

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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1,043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1,500

STMicroelectronics Controladores de puertas Dual half-bridge gate driver 700En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Controladores de puertas 1500 V rms dual-ch isolated GD
Hoja de datos
784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
716En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
Hoja de datos
2,083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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85En existencias
1,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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1,743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000