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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
- SIHF520S-GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
$1.52
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793En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHF520S-GE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
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793En existencias
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$1.52
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
- SIHFR9024-GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
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-
3,458En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024-GE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
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3,458En existencias
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$1.29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
- RBA40N10EANS-5UA11#HB0
- Renesas Electronics
-
1:
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-
1,400En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-40N10EANS5UA11HB
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
|
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1,400En existencias
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:
3,000
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
- RBE111N10R1SZN2#HB0
- Renesas Electronics
-
1:
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-
2,100En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E111N10R1SZN2HB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
|
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2,100En existencias
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:
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
- SIHFR9024TRL-GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
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-
2,093En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024TRL-GE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
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2,093En existencias
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$1.29
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Ver
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Min.: 1
Mult.: 1
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
- SS5PH102HM3/I
- Vishay Semiconductors
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1:
$1.23
-
4,480En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SS5PH102HM3/I
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
|
Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
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4,480En existencias
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$1.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
- SIHFU220-GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
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-
2,734En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU220-GE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
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2,734En existencias
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$1.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
- SIHFU420-GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
$1.27
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2,969En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU420-GE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
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2,969En existencias
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$1.27
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ858AEP-T1_NE3
- Vishay Semiconductors
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1:
$1.67
-
2,700En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3
Nuevo producto
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Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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|
2,700En existencias
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$1.67
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$0.677
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$0.521
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$0.389
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$0.377
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Min.: 1
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQM40022EM_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.66
-
740En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
740En existencias
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$3.66
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$2.39
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$1.83
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$1.53
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Ver
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$1.41
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$1.32
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N050DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.31
-
196En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
196En existencias
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$6.31
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$4.47
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$4.47
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|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
:
3,000
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
- IAUCN04S7N010GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.10
-
615En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
|
|
615En existencias
|
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$2.10
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$1.35
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$0.93
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$0.788
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$0.67
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$0.626
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N019GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.81
-
1,750En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N019GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,750En existencias
|
|
|
$1.81
|
|
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$1.14
|
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$0.751
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$0.595
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$0.465
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|
Ver
|
|
|
$0.529
|
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$0.483
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$0.448
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N047GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.50
-
1,750En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N047GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,750En existencias
|
|
|
$1.50
|
|
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$0.941
|
|
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$0.613
|
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$0.472
|
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$0.364
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|
|
Ver
|
|
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$0.426
|
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$0.388
|
|
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$0.353
|
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$0.342
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUCN10S7L040ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.28
-
602En existencias
-
5,000Se espera el 18/5/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
602En existencias
5,000Se espera el 18/5/2026
|
|
|
$3.28
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R055CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.43
-
347En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R055CM8XTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
347En existencias
|
|
|
$6.43
|
|
|
$4.21
|
|
|
$3.10
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
- I1R30080A-000-R
- TDK-Lambda
-
1:
$32.00
-
40En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
967-I1R30080A-000-R
Nuevo producto
|
TDK-Lambda
|
Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
|
|
40En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 5-60V, 60A, 1x1, 0.145" pin length
- I1R60060A-000-R
- TDK-Lambda
-
1:
$32.00
-
41En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
967-I1R60060A-000-R
Nuevo producto
|
TDK-Lambda
|
Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 5-60V, 60A, 1x1, 0.145" pin length
|
|
41En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
- FS520R12A8P1BHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$503.26
-
3En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS520R12A8P1BHPS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
|
|
3En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7L042GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.50
-
1,750En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L042GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,750En existencias
|
|
|
$1.50
|
|
|
$0.941
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.472
|
|
|
$0.364
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.426
|
|
|
$0.388
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.342
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R099CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.04
-
700En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R099CM8XTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
700En existencias
|
|
|
$4.04
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
- ISC040N10NM7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.09
-
495En existencias
-
5,000Se espera el 30/7/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC040N10NM7ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
|
|
495En existencias
5,000Se espera el 30/7/2026
|
|
|
$3.09
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.04
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.04
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
- NX3020NAKW-QX
- Nexperia
-
1:
$0.12
-
5,433En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
771-NX3020NAKW-QX
Nuevo producto
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
|
|
5,433En existencias
|
|
|
$0.12
|
|
|
$0.067
|
|
|
$0.056
|
|
|
$0.055
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|
$0.05
|
|
|
Ver
|
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$0.052
|
|
|
$0.047
|
|
|
$0.041
|
|
|
$0.036
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB25N018M9
- STMicroelectronics
-
1:
$6.13
-
140En existencias
-
1,000Se espera el 18/5/2026
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
511-STB25N018M9
Nuevo producto
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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140En existencias
1,000Se espera el 18/5/2026
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$6.13
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$4.02
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$2.96
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$2.32
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Min.: 1
Mult.: 1
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N037GATMA1
- Infineon Technologies
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1:
$1.60
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1,750En existencias
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N037GAT
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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1,750En existencias
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$1.60
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$1.00
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$0.653
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$0.503
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Ver
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$0.364
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Min.: 1
Mult.: 1
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5,000
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