TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1,363En existencias
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onsemi IGBTs IGBT 1200V 75A UFS
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Wolfspeed Diodos Schottky de SiC 650V 16A Gen6
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Vishay Rectificadores FREDS - TO-247
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281En existencias
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Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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882En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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207En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
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844En existencias
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Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
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82En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
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799En existencias
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STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY RECTIFIER
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1,737En existencias
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STMicroelectronics Rectificadores 600 V, 2x30 A Turbo 2 Soft Ultrafast Recovery Diode
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2,605En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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676En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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414En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
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528En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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1,597En existencias
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onsemi IGBTs 650V FS3 Trench IGBT
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635En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
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579En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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287En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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356En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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296En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
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267En existencias
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