Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETs de potencia automotrices OptiMOS™ 7 de 80V

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V Automotive Power MOSFETs are built with Infineon’s leading-edge, power semiconductor technology. These MOSFETs are designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications. The OptiMOS™ 7 80V MOSFETs operate with a ±20V_GS gate source voltage and a temperature range of -55°C to 175°C. These MOSFETs are offered in top-side cooled SSO10T 5x7mm2 SMD package. The SSO10T package helps users achieve advancements in cooling and power density. The 80V power MOSFETs are MSL-1 rated, RoHS compliant, and 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for general automotive applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

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$1.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

3.6 mOhms

20 V

3.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L013ATMA1
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$1.86

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

293 A

1.26 mOhms

20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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$1.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

210 A

1.8 mOhms

20 V

2 V

79.9 nC

- 55 C

+ 175 C

169 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7L024ATMA1
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$1.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

177 A

2.4 mOhms

16 V

2 V

65.2 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-2

N-Channel

1 Channel

80 V

223 A

1.94 mOhms

20 V

3.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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$1.89

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$1.39

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$1.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

186 A

2.44 mOhms

20 V

3.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN08S7N045TATMA1
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$1.49

$1.30

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$0.924

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN10S7L289ATMA1
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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

27 A

28.9 mOhms

16 V

2 V

10.9 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

76 A

7.8 mOhms

20 V

3.2 V

22.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

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IAUCN08S7L033ATMA1
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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

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OptiMOS

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IAUZN08S7L177ATMA1
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5,000Se espera el 9/9/2026
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IAUZN08S7L177ATMA1

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16 V

2 V

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- 55 C

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45 W

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IAUCN08S7N016TATMA1
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1: $4.68
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IAUCN08S7N016TATMA1

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$2.86

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$1.90

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$1.72

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: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

80 V

262 A

1.63 mOhms

20 V

3.2 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUTN08S7N007ATMA1
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1: $8.65
3,900Se espera el 15/10/2026
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IAUTN08S7N007ATMA1

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726-IAUTN08S7N007ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V

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$6.09

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$4.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

539 A

0.75 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7N046ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.55
10,000Se espera el 9/9/2026
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IAUZN08S7N046ATMA1

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726-IAUZN08S7N046ATM

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$1.10

$0.887

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$0.715

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

20 V

3.2 V

27.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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