PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Channel Logic Level Trench MOSFETs are designed for high-efficiency power management in various applications. These Nexperia MOSFETs feature low on-state resistance [RDS(on)], ranging from 2.8mΩ to 14mΩ, and support 60V and 100V drain-source voltages (VDS). These MOSFETs are optimized for logic level compatibility and are suitable for secondary side synchronous rectification, DC-to-DC converters, motor drives, load switching, and LED lighting. These MOSFETs are housed in thermally efficient MLPAK33 and MLPAK56 packages, which offer a compact footprint and enhanced thermal performance. With features like low gate charge (Qg) and high avalanche ruggedness, the PXNx series ensures reliable operation in demanding environments.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN011-60QLA/SOT8002/MLPAK33
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30En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 15
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN014-60QLA/SOT8002/MLPAK33
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1,097En existencias
3,000Se espera el 7/6/2027
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Min.: 1
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Máx.: 1,489
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 39 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN2R8-100RL/SOT8038/MLPAK56
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32En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 18
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
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8En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 8
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN5R7-60QLA/SOT8002/MLPAK33
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19En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 83 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R2-60QLA/SOT8002/MLPAK33
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250En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 77 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R8-60QLA/SOT8002/MLPAK33
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220En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN7R7-60QLA/SOT8002/MLPAK33 237En existencias
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 11 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN9R1-60QLA/SOT8002/MLPAK33
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207En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel