FS50R12W2T7 & FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies FS50R12W2T7 and FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules are 1200V three-phase input rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor Modules. Based on TRENCHSTOP™ IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode technology, these devices provide strongly reduced losses and are highly controllable. These modules are specially optimized for industrial drive applications, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained with an operation overload temperature up to +175°C in the power module. 

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray