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SIZ254DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ254DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ254DT-T1-GE3
Price: 1.75 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIZ254DT-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIZ254DT-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 70V 11.7A

Hoja de datos:

SIZ254DT-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.75	$1.75
	$1.11	$11.10
	$0.744	$74.40
	$0.587	$293.50
	$0.537	$537.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.472	$1,416.00
	$0.456	$2,736.00
	$0.435	$3,915.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAIR-3x3S-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	70 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	13 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns, 6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S, 50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns, 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	143.050 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZ254DT Dual N-Channel 70V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiZ254DT Dual N-Channel 70V (D-S) MOSFETs are TrenchFET^® Gen IV power MOSFETs. The SiZ254DT 70V MOSFETs have an integrated MOSFET half-bridge power stage and have an optimized Q_gs/Q_gs ratio that improves switching characteristics. The Vishay / Siliconix SiZ254DT Dual MOSFETs are ideal for POL, synchronous buck converter, telecom DC/DC, resonant converters, and motor drive control applications.