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CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 602.96 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGHV40200PP

Fabricante N.º:

CGHV40200PP

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Hoja de datos:

CGHV40200PP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$602.96	$602.96
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440199
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8.7 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	166 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	CGHV40200PP-AMP1
Ganancia:	16.1 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	1.9 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.7 GHz
Potencia de salida:	250 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V

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CGHV40200PP Hoja de datos (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.