Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 51

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.76
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1,990En existencias

$2.76

$1.36

$1.22

$0.977

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Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISC019N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.37
7,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Cinta cortada

$1.37

$0.817

$0.546

$0.432

Envase tipo carrete

$0.332

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.90
16,126En existencias
6,000Se espera el 1/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

16,126En existencias

6,000Se espera el 1/6/2026

Cinta cortada

$0.90

$0.561

$0.364

$0.278

Envase tipo carrete

$0.191

Ver

MouseReel Disponible

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: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.54
131,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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131,517En existencias

Cinta cortada

$0.54

$0.331

$0.211

$0.158

Envase tipo carrete

$0.119

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

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+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.50
151,734En existencias
3,000Se espera el 18/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0040TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0040TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

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151,734En existencias

3,000Se espera el 18/6/2026

Cinta cortada

$0.50

$0.307

$0.195

$0.146

Envase tipo carrete

$0.109

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3.6 A

78 mOhms

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1 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.45
100,220En existencias
72,000Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

100,220En existencias

72,000Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

$0.45

$0.279

$0.177

$0.132

Envase tipo carrete

$0.098

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.3 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

IRLML6246TRPBF
Infineon Technologies
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31,008En existencias
93,000Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6246TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6246TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

31,008En existencias

93,000Se espera el 16/7/2026

Cinta cortada

$0.45

$0.273

$0.173

$0.129

Envase tipo carrete

$0.096

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

46 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.47
27,571En existencias
240,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6346TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

27,571En existencias

240,000En pedido

Cinta cortada

$0.47

$0.288

$0.182

$0.136

Envase tipo carrete

$0.101

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.26
41En existencias
2,000Se espera el 15/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

41En existencias

2,000Se espera el 15/7/2026

$3.26

$1.63

$1.47

$1.19

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

115 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.06
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

931En existencias

$2.06

$0.991

$0.886

$0.703

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP75DP06LMXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.91
1,872En existencias
3,000Se espera el 5/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISP75DP06LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP75DP06LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

1,872En existencias

3,000Se espera el 5/6/2026

Cinta cortada

$0.91

$0.604

$0.384

$0.254

Envase tipo carrete

$0.152

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.86
8,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6276TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

Hoja de datos

8,005En existencias

Cinta cortada

$0.86

$0.537

$0.348

$0.266

Envase tipo carrete

$0.205

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.67
2,124En existencias
15,000Se espera el 29/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

2,124En existencias

15,000Se espera el 29/6/2026

Cinta cortada

$0.67

$0.414

$0.265

$0.201

Envase tipo carrete

$0.153

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.25
16,016En existencias
18,000Se espera el 1/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

16,016En existencias

18,000Se espera el 1/7/2026

Cinta cortada

$0.25

$0.15

$0.094

$0.069

Envase tipo carrete

$0.049

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.40
14En existencias
1,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

14En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

$2.40

$1.56

$1.09

$0.762

Envase tipo carrete

$0.762

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.86
856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

856En existencias

$3.86

$1.95

$1.86

$1.56

$1.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

182 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

IRFML8244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.46
17,516En existencias
69,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFML8244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFML8244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

Hoja de datos

17,516En existencias

69,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

$0.46

$0.285

$0.18

$0.135

Envase tipo carrete

$0.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

25 V

5.8 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

5.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.80
3,310En existencias
12,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6242TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Obtenga más información

Hoja de datos

3,310En existencias

12,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

$0.80

$0.498

$0.321

$0.245

Envase tipo carrete

$0.166

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

9.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

IRLML2030TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.46
1,333En existencias
84,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML2030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

Obtenga más información

Hoja de datos

1,333En existencias

84,000En pedido

Cinta cortada

$0.46

$0.304

$0.189

$0.142

$0.13

Envase tipo carrete

$0.091

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6344TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.62
162,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6344TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6344TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

162,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

$0.62

$0.383

$0.255

$0.184

$0.158

Envase tipo carrete

$0.084

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

29 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg

IRLB8748PBF
Infineon Technologies
1: $1.55
1,510En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLB8748PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8748PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg

Hoja de datos

1,510En existencias

$1.55

$0.729

$0.649

$0.508

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

92 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISZ065N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.02
1,985En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
ISZ065N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ065N03L5SATMA

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos

1,985En existencias

Cinta cortada

$1.02

$0.633

$0.414

$0.323

Ver

Envase tipo carrete

$0.234

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl

IRLML2244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.45
7,721En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLML2244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2244TRPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl

Hoja de datos

7,721En existencias

Cinta cortada

$0.45

$0.276

$0.175

$0.13

Envase tipo carrete

$0.097

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm

IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.56
237En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLML9301TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML9301TRPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm

Hoja de datos

237En existencias

Cinta cortada

$0.56

$0.34

$0.227

$0.164

$0.134

Envase tipo carrete

$0.076

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

103 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.96
2,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Se espera el 26/11/2026

$4.96

$2.56

$2.33

$1.92

$1.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
6.9 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W