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BGA5H1BN6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA5H1BN6E6327XT
Price: 0.59 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BGA5H1BN6E6327XT

Fabricante N.º:

BGA5H1BN6E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Hoja de datos:

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$0.503	$5.03
	$0.475	$11.88
	$0.434	$43.40
	$0.41	$102.50
	$0.391	$195.50
	$0.351	$351.00
	$0.301	$1,204.00
	$0.271	$2,168.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 12000)
	$0.271	$3,252.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2.3 GHz to 2.69 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	1.5 V to 3.6 V
Corriente de suministro operativa:	8.5 mA
Ganancia:	18 dB
NF - Figura de ruido:	0.7 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSNP-6
Tecnología:	SiGe
P1dB: punto de compresión:	- 16 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	- 6 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Aislamiento dB:	36 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	60 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	12000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	2.5 GHz
Alias de las piezas n.º:	BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Peso de la unidad:	0.830 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control. The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the V_CC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm², the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.