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PMZB350UPE,315

Name: Nexperia PMZB350UPE,315
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMZB350UPE315
Price: 0.36 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMZB350UPE315

Fabricante N.º:

PMZB350UPE,315

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

Hoja de datos:

PMZB350UPE,315 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 28,810

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Plazo de entrega de fábrica:: 41

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.36	$0.36
	$0.223	$2.23
	$0.141	$14.10
	$0.106	$53.00
	$0.085	$85.00
	$0.083	$207.50
	$0.072	$360.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	$0.06	$600.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1006-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	940 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	1.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	715 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934066841315
Peso de la unidad:	0.690 mg

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ECCN:: EAR99

PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a leadless, ultra-small DFN1006B-3 (SOT883B) surface-mounted device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology, has a low threshold voltage, provides very fast switching, and offers 1.8kV ESD protection. The Nexperia PMZB350UPE MOSFET is ideal for relay drivers, high-speed line drivers, high-side load switches, and switching circuits.