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RH7E04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7E04BBJFRATCB
Price: 2.31 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RH7E04BBJFRATCB

Fabricante N.º:

RH7E04BBJFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 P-CH 30V

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	$0.772	$772.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.656	$1,968.00
	$0.649	$3,894.00
	$0.643	$5,787.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	75 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	105 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	160 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P-Channel Power MOSFET is a -30V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A drain current (I_D) rated automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. This MOSFET has a drain-source on-state resistance (R_DS(ON)) of 7.52mΩ (max.) with V_GS = -10V, I_D= -20A or 11.3mΩ (max.) with V_GS = -4.5V, I_D = -10A. The total gate charge (Q_g) is 65.0nC (typ.) with V_DD = -15V, I_D = -10A, V_GS = -10V. The ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.