NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs are high-performance MOSFETs designed for efficient switching applications. Housed in a compact SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm package, these onsemi MOSFETs offer a low RDS(on) of just 45mΩ at -4.5V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain current of -3.3A and a drain-source voltage rating of -12V, the NxJS3151P devices are well-suited for load switching in portable and battery-powered devices. The ultra-low gate charge and fast switching characteristics contribute to enhanced energy efficiency, making the onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs ideal for space-constrained designs where power density and reliability are critical.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 3.3A P-Channel 12,925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM 2,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 2.7 A 160 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 3.3A P-Channel 2,890En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape