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NSV40301MZ4T3G

Name: onsemi NSV40301MZ4T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV40301MZ4T3G
Price: 1.04 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSV40301MZ4T3G

Fabricante N.º:

NSV40301MZ4T3G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

Hoja de datos:

NSV40301MZ4T3G Hoja de datos

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	$0.245	$980.00
	$0.211	$1,688.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-223-4
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	5 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	40 V
Tensión VCBO colector-base:	40 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	215 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Calificación:	AEC-Q101
Serie:	NSS40301MZ4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	3 A
Máx. ganancia de CC hFE:	500
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors

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Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NSV40301MZ4 Bipolar Power Transistor

onsemi NSV40301MZ4 Bipolar Power Transistor is a combination of low saturation voltage and high gain low V_CE(sat) NPN transistor. This bipolar transistor features a 40V_DC collector-emitter voltage, 1A_DC base current, and -55°C to 150°C operating and storage Junction temperature range. The NSV40301MZ4 bipolar power transistor is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include voltage regulation, power management for portable devices, switching regulators, motor controls, and DC-DC converters.