SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Resultados: 127
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
Hoja de datos
5,878En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 23 mOhm
Hoja de datos
905En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
Hoja de datos
798En existencias
800Se espera el 3/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
Hoja de datos
1,372En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK
Hoja de datos
772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D²PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
6,300En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 260MOHM TO252
Hoja de datos
2,667En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
Hoja de datos
5,023En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 29MOHM TO-247
Hoja de datos
197En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 201 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
Hoja de datos
1,668En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 98 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
Hoja de datos
1,717En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 79 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
Hoja de datos
639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 188 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247
Hoja de datos
405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
Hoja de datos
1,314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 110MOHM PQFN88
Hoja de datos
2,249En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
Hoja de datos
649En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 mC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
1,700En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Hoja de datos
2,403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Hoja de datos
820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET,190M
Hoja de datos
1,520En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG
Hoja de datos
309En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 50MOHM TO-247-3
Hoja de datos
385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 119 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement AEC-Q101 Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 40 mOhm
Hoja de datos
71En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 35.4 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 136 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
Hoja de datos
318En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube