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NVMYS3D8N04CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D8N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D8N04CLTWG
Price: 1.84 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMYS3D8N04CLTWG

Fabricante N.º:

NVMYS3D8N04CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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	$1.11	$111.00
	$1.01	$505.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.568	$1,704.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	87 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	18 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	55 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	100 ns
Serie:	NVMYS3D8N04CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.3 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS3D8N04CL Power MOSFET

onsemi NVMYS3D8N04CL Power MOSFET is a single N-channel MOSFET designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This power MOSFET operates at 40V Drain-to-Source voltage, 3.7mΩ drain resistance, and 87A continuous drain current. The NVMYS3D8N04CL N-channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications that require enhanced board-level reliability. This device is Pb-free and RoHS Compliant. The NVMYS3D8N04CL is ideal for reverse battery protection power switches, switching power supplies, solenoid drivers, motor control, and load switches.