Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: $0.82
3,000En existencias

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NVMYS011N04CTWG

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863-NVMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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$0.792

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$0.446

$0.405

Envase tipo carrete

$0.328

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
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2,970En existencias

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NVMYS5D3N04CTWG

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863-NVMYS5D3N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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Cinta cortada

$1.07

$0.859

$0.599

$0.504

Envase tipo carrete

$0.418

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: $0.47
11,812En existencias

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NVMYS8D0N04CTWG

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863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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$0.47

$0.457

$0.427

Envase tipo carrete

$0.414

$0.373

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $1.47
2,781En existencias
3,000Se espera el 26/6/2026

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NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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3,000Se espera el 26/6/2026

Cinta cortada

$1.47

$0.927

$0.615

$0.486

$0.438

Envase tipo carrete

$0.401

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $1.08
2,938En existencias
3,000Se espera el 26/5/2026

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NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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3,000Se espera el 26/5/2026

Cinta cortada

$1.08

$0.606

$0.504

$0.446

Envase tipo carrete

$0.329

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
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862En existencias

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NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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Cinta cortada

$1.33

$0.835

$0.553

$0.431

$0.391

Envase tipo carrete

$0.342

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Mult.: 1

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: $1.44
8En existencias

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NVMYS6D2N06CLTWG

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863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Cinta cortada

$1.44

$1.04

$0.747

$0.602

$0.549

Envase tipo carrete

$0.484

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $1.12
Plazo de entrega 19 Semanas

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NVMYS7D3N04CLTWG

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863-NVMYS7D3N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

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Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

$1.12

$0.814

$0.582

$0.48

Envase tipo carrete

$0.373

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Mult.: 1

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: $2.09
6,000Se espera el 17/4/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

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863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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6,000Se espera el 17/4/2026

Cinta cortada

$2.09

$1.40

$0.989

$0.815

Envase tipo carrete

$0.661

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: $1.38
3,000Se espera el 23/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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Hoja de datos

3,000Se espera el 23/2/2026

Cinta cortada

$1.38

$0.868

$0.575

$0.486

$0.417

Envase tipo carrete

$0.374

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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