QPD2040D

Qorvo
772-QPD2040D
QPD2040D

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
pHEMT
GaAs
13 dB
0.41 mm x 0.34 mm
Reel
Marca: Qorvo
NF - Figura de ruido: 1.1 dB
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2040D
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die is designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2040D operates from DC to 20GHz with 26dBm typical output power at P1dB and a gain of 13dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression. This performance level is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides environmental robustness and scratch protection.

En existencias: 300

Existencias:
300 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
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Precio ext.:
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