S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash

Infineon Technologies S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ Flash products are fabricated on 65nm process technology. These devices offer a fast page access time - as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. MIRRORBIT Eclipse™ Flash non-volatile memory is a CMOS 3V core with versatile I/O interface. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation. This results in faster effective programming time than standard programming algorithms. Programming time makes the S29 GL-S flash ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Serie
Tamaño de memoria
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de lectura activa - máx.
Tipo de interfaz
Organización
Ancho de bus de datos
Tipo de tiempo
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies S29GL01GS11TFB023
Infineon Technologies Memoria flash tipo NOR Nor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL01GS12DHVV13
Infineon Technologies Memoria flash tipo NOR NOR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 2,200
Mult.: 2,200
Carrete: 2,200

S29GL01G/512/256/128S 1 Gbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 16 16 bit Asynchronous Reel