SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery's reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used as switches in the charge/discharge protection circuit and are often built into a Li-ion battery pack.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TCSPAC N-CH 12V 13.5A
Hoja de datos
9,007En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A - 8 V, 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V
Hoja de datos
5,948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape