AFGHL75T65SQDC

onsemi
863-AFGHL75T65SQDC
AFGHL75T65SQDC

Fabricante:

Descripción:
IGBTs IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V

Modelo ECAD:
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En existencias: 447

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$6.78 $67.80
$5.69 $569.00
$5.43 $2,443.50

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL75T65SQDC
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 80 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: IGBTs
Nombre comercial: EliteSiC
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT

onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT offers 4th generation high-speed IGBT technology. This device is AEC-Q101 qualified and provides optimum performance for hard and soft-switching topologies in automotive applications. onsemi AFGHL75T65SQD Field Stop Trench IGBT also features high current capability, fast switching, and tight parameter distribution.