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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 4.44 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SUM40014M-GE3

Fabricante N.º:

SUM40014M-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A

Hoja de datos:

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	$1.73	$1,384.00
	$1.63	$3,912.00
	$1.56	$7,488.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	990 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	182 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	ThunderFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	140 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	ThunderFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	100 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	1.600 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SUM40014M N-Channel 40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET provides 40V_DS drain-source voltage in a single-configuration D²PAK package with ThunderFET® power. The MOSFET utilizes a lead-free and RoHS-compliant design and is 100% R_g and UIS tested. Vishay / Siliconix SUM40014M N-Channel 40V MOSFET is suitable for use in DC/DC converters, battery management applications, power tools, and motor drive switches.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.