PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are rugged and reliable MOSFETs with -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C. These MOSFETs feature a 50°C/W junction to ambient thermal resistance, -55°C to 175°C operating temperature range, and -2.5V maximum gate-threshold voltage. The PJDx0P03E-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2,989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2,537En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape