QH8J Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8J Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a high power small mold package (TSMT8). ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Hoja de datos
2,732En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 100 V 2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.7 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Hoja de datos
4,044En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 40 V 5 A 41 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Hoja de datos
15,900Se espera el 11/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A 91 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape