PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. 

Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK 1,492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 91 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 29 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R1-30YL/SOT669/LFPAK 2,821En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-30YLC/SOT669/LFPAK 12,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 11.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 10.3 nC - 55 C + 175 C 29 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 61A 31En existencias
2,400Se espera el 9/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 61 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-30YLC/SOT669/LFPAK 431En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 16.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 8.3 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100YS/SOT669/LFPAK 1,622En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 31.8A 501En existencias
1,500Se espera el 9/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 31.8 A 20.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.62 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 25A 2,537En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 25 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 21.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A 1,155En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 110.2 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A 206En existencias
3,000Se espera el 23/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89.8 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A 264En existencias
1,500Se espera el 16/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 1.02 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 80.9 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 280A 142En existencias
1,500Se espera el 14/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 127 nC - 55 C + 150 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-25YLC/SOT669/LFPAK 2,101En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.43 V 83 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A 2,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 32 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK 250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.45 V 66 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT404 N-CH 30V 120A 69En existencias
7,200Se espera el 2/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 228 nC - 55 C + 175 C 401 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R5-30YLC/SOT669/LFPAK 187En existencias
1,500Se espera el 4/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 1.51 V 65 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK 1,241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 77.9 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A 2,439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.82 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34.1 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R2-25YLC/SOT669/LFPAK 2,353En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.54 V 39 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK 2,158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.49 V 55 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R4-30BLE/SOT404/D2PAK 41En existencias
4,800Se espera el 28/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 2.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 81 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A 216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R5-30YLC/SOT669/LFPAK 570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.54 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 120A N-CH MOSFET 71En existencias
31,200Se espera el 28/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 196 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel