BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 87
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 30A
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151En existencias
1,500Se espera el 28/9/2026
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 15 mOhms - 10 V, 16 V 1.5 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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138En existencias
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Si SMD/SMT Power33-4 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 15.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 28.5 nC - 55 C + 175 C 19.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK
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271En existencias
3,000Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 10 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK
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3,486En existencias
1,500Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y153-100E/SOT669/LFPAK
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7,484En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 122 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y22-100E/SOT669/LFPAK
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898En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 49 A 17.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 35.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-60E/SOT669/LFPAK
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2,167En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 21.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 12 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-80E/SOT669/LFPAK
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863En existencias
7,500Se espera el 3/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.1 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK
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8,814En existencias
6,000Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 25.8 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 5 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y38-100E/SOT669/LFPAK
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80En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 31.3 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 21.6 nC - 55 C + 175 C 94.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R5-40E/SOT669/LFPAK
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1,239En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.6 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 30.2 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y43-60E/SOT669/LFPAK
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4,941En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 38 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R4-40E/SOT669/LFPAK
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222En existencias
1,500Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 26.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60E/SOT669/LFPAK
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510En existencias
1,500Se espera el 16/11/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y59-60E/SOT669/LFPAK
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10,019En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 16.7 A 51 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 6.1 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R0-60E/SOT669/LFPAK
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527En existencias
3,000Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.6 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 39.4 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A
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736En existencias
3,000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 54.7 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R7-60E/SOT669/LFPAK
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147En existencias
3,000Se espera el 2/6/2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 6.8 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT404 N-CH 80V 120A
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708En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 4.2 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 123 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7613-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
4,800Se espera el 30/11/2026
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Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 9.44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22.9 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y41-80E/SOT669/LFPAK
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9,000En pedido
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 24 A 35.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 11.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 65A
Hoja de datos
1,500Se espera el 1/6/2026
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 44.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A
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1,481Se espera el 1/6/2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 11.8A
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2,046En pedido
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Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 11.8 A 98 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
3,000Se espera el 22/6/2026
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Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 6.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel