IPW60R037CSFDXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R037CSFDXKS
IPW60R037CSFDXKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Modelo ECAD:
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En existencias: 197

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$5.44 $54.40
$4.93 $493.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
136 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: AT
Tiempo de caída: 6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 196 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 53 ns
Alias de las piezas n.º: IPW60R037CSFD SP001927820
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IPW60R037CSFD CoolMOS™ Superjunction MOSFET

Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™ Superjunction MOSFET is optimized to address the off-board EV-charging market segment. The device has a low gate charge (Qg) and improved switching behavior with high efficiency. The device features an integrated fast body diode that tremendously reduces reverse recovery charge (Qrr), leading to high reliability in resonant topologies. Infineon IPW60R037CSFD meets efficiency and reliability standards of off-board EV charging and supports high-power density solutions.