RF7x Automotive Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RF7x Automotive Power MOSFETs (comprising the RF7G, RF7L, and RF7P variants) are high-performance Silicon Carbide (SiC) devices designed for demanding power applications. These MOSFETs feature a 1200V voltage rating, making the ROHM RF7x MOSFETs ideal for high-voltage environments such as automotive inverters, onboard chargers, and industrial power systems. The RF7G series offers balanced characteristics suitable for general-purpose use, while the RF7L series is optimized for low conduction losses, enhancing efficiency in continuous operation scenarios like battery management and energy storage. The RF7P series excels in high-speed switching, making it well-suited for applications requiring rapid response, such as telecom equipment and LED lighting. Across all variants, key features include low ON-resistance, fast switching performance, high reliability, and compact packaging, enabling efficient and robust power conversion in both automotive and industrial sectors.

Resultados: 8
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A
Hoja de datos
2,030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
Hoja de datos
972En existencias
3,000Se espera el 15/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
Hoja de datos
1,984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
1,890En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 40V 12A
Hoja de datos
5,997En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
Hoja de datos
2,975Se espera el 28/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
3,000Se espera el 5/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape