Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SIA906EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA906EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA906EDJ-GE3
Price: 0.95 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

781-SIA906EDJ-GE3

Fabricante N.º:

SIA906EDJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA906EDJ-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay Semiconductors SIA906EDJ-T1-GE3

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	46 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	950 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	7.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Alias de las piezas n.º:	SIA906EDJ-GE3
Peso de la unidad:	28 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SIA906EDJ-T1-GE3 Hoja de datos

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

SiA906EDJ Dual N-Channel MOSFET

Vishay Siliconix SiA906EDJ Dual N-Channel MOSFET is designed to save space and increase power efficiency in portable electronics. It features the industry's lowest on-resistance for 20V (12V V_GS) devices at 4.5V gate drives in the 2x2mm footprint area.

PRODUCTOS DESTACADOS

VISHAY

SiJK5100E N-Channel MOSFET

TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation.

Obtenga más información

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Comes in a PowerPAK^® 8mm x 8mm BWL package with an on-resistance of 0.00115Ω.

Obtenga más información

MOSFET de 40 V de canal N (D-S) SiJK140E

Features TrenchFET^® Gen V power technology ideal for synchronous rectification and automation.

Obtenga más información

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Features power technology, optimizes efficiency, and minimizes power loss during conduction.

Obtenga más información

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_{DS x}Q_g figure-of-merit (FOM).

Obtenga más información

En existencias: 26,331

Existencias:: 26,331 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.95	$0.95
	$0.433	$4.33
	$0.382	$38.20
	$0.293	$146.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.227	$681.00
	$0.199	$1,791.00
	$0.196	$4,704.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

SIA906EDJ-T1-GE3

Fabricante: Vishay Semiconductors

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Especificaciones

Documentos (12)

Hoja de datos

Models

PCN

Technical Resources

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

Integrated MOSFET Solutions

SiA906EDJ Dual N-Channel MOSFET

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS VISHAY

En existencias: 26,331

Precio (USD)

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

PRODUCTOS DESTACADOS

VISHAY