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NVTYS020N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS020N08HLTWG
Price: 1.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVTYS020N08HLTWG

Fabricante N.º:

NVTYS020N08HLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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	$0.939	$93.90
	$0.647	$323.50
	$0.578	$578.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.393	$1,179.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	5.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24.3 mOhms
Serie:	NVTYS020N08HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.8 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTYS020N08HL Power MOSFET

onsemi NVTYS020N08HL Power MOSFET is an 80V, 20mΩ, and 30A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(ON) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTYS020N08HL power MOSFET is AEC-Q101-qualified and is PPAP-capable. This MOSFET is suitable for reverse battery protection, power switches, switching power supplies, and other automotive applications.