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MRFE6VP61K25HR5

Name: NXP MRFE6VP61K25HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP61K25HR5
Price: 435.54 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

841-MRFE6VP61K25HR5

Fabricante N.º:

MRFE6VP61K25HR5

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

MRFE6VP61K25HR5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En existencias: 148

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$-.--

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$435.54	$435.54
	$376.50	$3,765.00
	$361.78	$9,044.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$352.87	$17,643.50

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	133 V
Frecuencia de trabajo:	1.8 MHz to 600 MHz
Ganancia:	24 dB
Potencia de salida:	1.25 kW
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	NI-1230H-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	1.333 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP61K25H
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Peso de la unidad:	13.155 g

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Hoja de datos

MRFE6VP61K25HR5 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Estados Unidos

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.