IXGA20N250HV

IXYS
576-IXGA20N250HV
IXGA20N250HV

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-263D2

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 300   Múltiples: 50
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$14.42 $4,326.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
2.5 kV
3.1 V
- 20 V, 20 V
30 A
150 W
- 55 C
+ 150 C
Tube
Marca: IXYS
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXGA20N250HV High Voltage IGBT

IXYS IXGA20N250HV High Voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) provides a square Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) and 10µs short circuit withstanding capability. The IXGA20N250HV features 2500V collector-to-emitter voltage, 12A collector current at +110°C, and 3.1V collector-emitter saturation voltage. The device has a positive temp coefficient of VCE(sat), ideal for paralleling.