Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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BSZ065N03LSATMA1
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IQDH35N03LM5CGATMA1
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IQDH35N03LM5CGATMA1

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726-IQDH35N03LM5CGAT

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91 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.51
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BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

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$0.693

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TDSON-8

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1 Channel

30 V

230 A

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- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: $1.77
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BSC0504NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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$0.568

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TDSON-8

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72 A

3.7 mOhms

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30 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.65
27,712En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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27,712En pedido

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$1.65

$1.01

$0.671

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$0.362

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.17
6,000Se espera el 19/11/2026
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IQE012N03LM5CGSCATMA1

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726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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$2.04

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$0.898

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: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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