Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,560 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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100 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
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726-BSZ018NE2LS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5,900 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7,129 En existencias
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1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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90 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
9,928 En existencias
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Si
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
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Detalles
Si
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
27,861 En existencias
40,000 Se espera el 8/4/2027
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1
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Si
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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52 Semanas
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$3.44
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$1.07
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Si
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TDSON-8
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC028N06NSATMA1
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9,898 En existencias
15,000 Se espera el 6/5/2027
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
9,898 En existencias
15,000 Se espera el 6/5/2027
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$0.803
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Si
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TDSON-8
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10,097 En existencias
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1,000
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2,500
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$0.28
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5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
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49 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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1,000 En pedido
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726-IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
452 En existencias
1,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
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$3.39
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Min.: 1
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
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180 A
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- 20 V, 20 V
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
651 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.10
10
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1,000
$2.55
Comprar
Min.: 1
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
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- 20 V, 20 V
2.1 V
124 nC
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
3,274 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.38
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500
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$0.706
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Min.: 1
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
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- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
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826 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
826 En existencias
1
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10
$1.10
100
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1,000
$0.664
5,000
$0.651
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Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.73
159 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
159 En existencias
6,000 En pedido
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Embalaje alternativo
Existencias:
159 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 1/10/2026
3,000 Se espera el 17/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
11 Semanas
1
$2.73
10
$1.34
100
$1.21
500
$0.965
1,000
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2,000
$0.849
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
32 nC
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+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.08
376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.08
10
$1.53
100
$1.38
500
$1.11
1,000
Ver
1,000
$1.06
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$1.02
5,000
$1.00
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
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- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
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2,299 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2,299 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.25
10
$1.43
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$0.96
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1,000
Ver
5,000
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$0.626
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
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96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.86
2,983 En existencias
5,000 Se espera el 17/8/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
2,983 En existencias
5,000 Se espera el 17/8/2027
Embalaje alternativo
1
$1.86
10
$1.18
100
$0.791
5,000
$0.791
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.64
3,490 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3,490 En existencias
1
$1.64
10
$0.777
100
$0.668
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$0.53
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Ver
5,000
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1,000
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5,000
$0.409
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.25
3,065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3,065 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.25
10
$0.772
100
$0.507
500
$0.399
5,000
$0.268
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$0.316
10,000
$0.264
25,000
$0.259
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.62
5 En existencias
80,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
5 En existencias
80,000 En pedido
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Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
55,000 Se espera el 18/2/2027
10,000 Se espera el 13/5/2027
15,000 Se espera el 2/9/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
3,374 En existencias
5,000 Se espera el 10/9/2026
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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5,000 Se espera el 17/9/2026
10,000 Se espera el 12/8/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.03
10
$1.04
100
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Ver
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSC0906NS
Infineon Technologies
1:
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596 En existencias
5,000 En pedido
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726-BSC0906NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
596 En existencias
5,000 En pedido
1
$1.15
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$0.243
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
63 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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726-BSZ031NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
381 En existencias
5,000 Se espera el 15/10/2026
1
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SMD/SMT
TSDSON-8
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25 V
40 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 150 C
30 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel