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RH7L04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L04CBJFRATCB
Price: 1.97 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RH7L04CBJFRATCB

Fabricante N.º:

RH7L04CBJFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 P CHAN 60V

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	35 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	125 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RH7L04CBJFRA -60V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-Channel Power MOSFET is a -60V drain-source voltage (V_DSS) and ±36A continuous drain current (I_D) rated automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] is 41mΩ (max.) (V_GS = -10V, I_D = -20A) and comes in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA MOSFET is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.