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FAD7171MX

Name: onsemi FAD7171MX
Brand: onsemi
SKU: 863-FAD7171MX
Price: 1.66 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FAD7171MX

Fabricante N.º:

FAD7171MX

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Controladores de puertas 600V, 4A, SOIC-8, High-Side Gate Drive IC

Hoja de datos:

FAD7171MX Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$1.66	$1.66
	$1.22	$12.20
	$1.11	$27.75
	$0.987	$98.70
	$0.928	$232.00
	$0.893	$446.50
	$0.864	$864.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.801	$2,002.50
	$0.793	$5,947.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Driver ICs - Various
Tipo:	High-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	1 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	11 ns
Tiempo de caída:	12 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	FAD7171MX
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Voltaje de entrada - Máx.:	20 V
Voltaje de entrada - Mín.:	10 V
Tiempo de retardo de apagado máximo:	95 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	100 ns
Tiempo apagado - Máx.:	95 ns
Corriente de suministro operativa:	105 uA
Voltaje de salida:	35 mV
Dp - Disipación de potencia :	625 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	100 ns
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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Hoja de datos

FAD7171MX Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

FAD7171MX High-Side Automotive Gate Driver IC

onsemi FAD7171MX High-Side Automotive Gate Driver IC is a 600V, 4A monolithic high-side gate drive IC, which can drive high-speed MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. The onsemi FAD7171MX features a buffered output stage with all NMOS transistors designed for high pulse current driving capability and minimum cross-conduction. onsemi’s high-voltage process and common-mode noise cancelling techniques provide stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. An advanced level-shift circuit offers high-side gate driver operation up to V_S=-13V (typical) for V_BS=15V. The Under Voltage Lock Out (UVLO) circuit prevents malfunction when V_BS is lower than the specified threshold voltage.