AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Configuración If - Corriente directa Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión directa Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo Ir - Corriente inversa Temperatura de trabajo máxima Serie Calificación Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ 808En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.6 V 45 A 100 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ 1,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 650 V 1.55 V 76 A 200 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 6A 9nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified 1,048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified 1,137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ 2En existencias
450Se espera el 20/10/2025
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 1.2 kV 1.6 V 84 A 200 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified 874En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified 887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified 270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ 148En existencias
450Se espera el 10/11/2025
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 40 A 650 V 1.55 V 130 A 400 uA + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified 419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel