QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25mmPwrpHEMT

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marca: Qorvo
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2025D
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.

En existencias: 200

Existencias:
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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
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