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DF10G5M4N,LF

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Mouser N.º:

757-DF10G5M4NLF

Fabricante N.º:

DF10G5M4N,LF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

DF10G5M4N,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS
RoHS:
Polaridad:	Bidirectional
Número de canales:	4 Channel
Voltaje en funcionamiento:	3.6 V
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Voltaje de fijación:	10 V
Tensión de disparo:	5 V
Paquete / Cubierta:	DFN-10
Ipp - Corriente máxima de pulso:	2 A
Pppm - Disipación de potencia máxima de pulsos:	30 W
Cd - Capacidad en diodos:	0.2 pF
Vesd - Contacto de voltaje ESD:	20 kV
Vesd - Espacio de aire de voltaje ESD:	20 kV
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	DF10G5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Producto:	ESD Suppressors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Peso de la unidad:	3.200 mg

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Hoja de datos

DF10G5M4N,LF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

Low Power Discrete Semiconductors for IoT

Toshiba Low Power Discrete Semiconductors include LDOs (Low Drop Out Regulators), Load Switches, ESD Suppressors, TVS Diodes, and Magnetic Hall Effect Sensors, ideal for small form-factor, low power IoT (Internet of Things) applications.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.

Next-Generation ESD Protection Diodes

Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.

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Toshiba DF6D7M1N and DF10GxMxN ESD Protection Diodes feature an electrostatic discharge rating of ±8kV to ±20kV. These devices offer a junction temperature of 150°C and a storage temperature range of -55°C to +150°C. DF6D7M1N is designed for general ESD protection while DF10GxMxN is ideal for ESD protection in a range of applications, including USB 2.0, USB 3.0, HDMI, SATA/eSATA, DisplayPort interfaces, Digital Visual Interface (DVI), MDDI, and PCI Express.