Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC034N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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$0.801

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

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- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
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523En existencias
5,000Se espera el 2/7/2026
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$1.04

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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$2.30

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$1.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
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$1.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

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130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
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: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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$1.06

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

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25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.72
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH80NE2LM7UCGS

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N-Channel

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25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.57
4,472En existencias
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH84NE2LM7UCGA

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25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

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107 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
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1: $3.88
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ISC019N08NM7ATMA1

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726-ISC019N08NM7ATMA

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PG-TDSON-8

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80 V

209 A

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ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.24
4,999Se espera el 24/4/2026
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ISC024N08NM7ATMA1

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726-ISC024N08NM7ATMA

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PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

167 A

2.4 mOhms

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3.2 V

49 nC

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