TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
Marca: Renesas Electronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.2 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 6.2 ns
Serie: Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica: 1300
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tiempo de retardo de apagado típico: 56 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 43.4 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541290000
ECCN:
EAR99

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT features an on-resistance RDS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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