CMLDM7 Small Signal N & P-Channel MOSFET

Central Semiconductor CMLDM7 Small Signal N and P-Channel MOSFET consist of complementary N-Channel and P-Channel enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer very low rDS(ON) and low threshold voltage. The Central Semiconductor CMLDM7484 Small Signal N and P-Channel MOSFET feature the small, SOT-563 surface mount package.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 83,065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 60 V 280 mA 2 Ohms - 40 V, 40 V 592 pC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N AND P CHANNEL MOSFET 336,843En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 450 mA 460 mOhms, 1.1 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 792 pC, 880 pC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 85,239En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 650 mA 230 mOhms, 360 mOhms - 8 V, 8 V 1.58 nC, 1.2 nC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs 11,408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 50 V 280 mA 2.3 Ohms - 12 V, 12 V 764 pC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Enh Mode 2,803En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 60 V 280 mA 2 Ohms - 40 V, 40 V 2.5 V 592 pC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs 15,999Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si Reel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vds 8.0Vgs 1.0A 21,936Existencias en fábrica disponibles
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si Reel
Central Semiconductor CMLDM7003 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 280mA,50V Surface mount MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode No en existencias
Min.: 12,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si Reel