SIHP080N60E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHP080N60E-GE3
SIHP080N60E-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 35A N-CH MOSFET

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Single
Tiempo de caída: 31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 4.6 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 96 ns
Serie: SIHP E
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 37 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 31 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiHP080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHP080N60E E Series Power MOSFETs offer 4th generation E series technology in a TO-220AB package. The SiHP080N60E features a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low effective capacitance (Co(er)). The Vishay / Siliconix SiHP080N60E E Series Power MOSFETs are designed for Server and telecom, SMPS, and PFC power supply applications.

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960
Se espera el 8/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
31
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
$-.--
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