Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSZ075N08NS5ATMA1

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726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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TSDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.14
10,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

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726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

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TSDSON-8

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40 A

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+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: $3.14
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BSC009NE2LS5IATMA1

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Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
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IPB017N08N5ATMA1

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726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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120 A

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

80 V

120 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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100 A

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74 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
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5,000Se espera el 26/5/2027

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BSC040N08NS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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BSC052N08NS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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TDSON-8

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- 20 V, 20 V

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83 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.71
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BSC061N08NS5ATMA1

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726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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$0.843

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82 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.27
12,775En existencias
15,000Se espera el 23/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC117N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

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12,775En existencias

15,000Se espera el 23/7/2026

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$2.27

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$0.79

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Envase tipo carrete

$0.629

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

49 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.43
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N.º de artículo del Fabricante
BSC030N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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58,475En pedido

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$3.43

$2.22

$1.53

$1.28

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Envase tipo carrete

$1.12

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.54
4,000En existencias
5,000Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC026NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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5,000Se espera el 2/7/2026

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$1.54

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$0.677

$0.555

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$0.444

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

82 A

4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.06
30,160En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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30,160En pedido

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$2.06

$1.29

$0.852

$0.676

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$0.528

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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