NTH4L070N120M3S

onsemi
863-NTH4L070N120M3S
NTH4L070N120M3S

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
54,900 Se puede enviar en 20 días
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$9.27 $9.27
$5.89 $58.90
$4.17 $417.00
$4.16 $11,232.00
25,200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
37 A
91 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
252 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 9 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 12 ns
Serie: NTH4L070N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 20 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Heat Pumps

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